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[发明专利]扩散阻挡层和扩散阻挡层的制造方法-CN200580005287.6无效
发明人： M·哈拉兹奥尔松;H·特兰夸克;A·加利相 -专利权人： OC欧瑞康巴尔斯公司
申请日： 2005-02-16 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于显示装置的扩散阻挡系统，其包括具有至少两层电介质材料的层系统，其中该层系统中的至少两个相邻层包括相同的材料。在单一等离子体沉积系统的处理腔中制造这样的扩散阻挡系统的相应方法，包括的步骤有引入待处理的基板到所述处理腔中，以受控制的方式在沉积过程中分离地变化处理腔中至少一个的工艺参数但不是完全中断这样的工艺参数，从而每个变化在一层中带来了不同的特性，并且最后将所述基板从所述处理腔中取出。
扩散阻挡制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201711037435.3有效
发明人：邓银屏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极凹槽；在所述栅极凹槽的底部和侧壁上形成功函数层；在所述功函数层上形成富金属的扩散阻挡层；在所述富金属的扩散阻挡层上形成富氮的扩散阻挡层；在所述富氮的扩散阻挡层上形成填充所述栅极凹槽的金属栅电极。本发明提供的半导体器件及其制造方法，在功函数层上依次形成了富金属的扩散阻挡层和富氮的扩散阻挡层，所述富金属的扩散阻挡层能够避免功函数层中的金属扩散到扩散阻挡层中，所述富氮的扩散阻挡层提高了扩散阻挡层整体的扩散阻挡能力
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201610490311.X有效
发明人：徐建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成高k介电层；在所述高k介电层上形成功函数金属层；在所述功函数金属层上形成扩散阻挡层，其中，所述扩散阻挡层自下而上包括第一扩散阻挡层、金属氧化物阻挡层和第二扩散阻挡层组成的叠层；在所述第二扩散阻挡层上形成栅电极层。根据本发明的制造方法，在功函数金属层上形成包括第一扩散阻挡层、金属氧化物阻挡层和第二扩散阻挡层三明治结构的扩散阻挡层，该扩散阻挡层可以有效的阻挡后续的杂质离子向下层膜层的扩散，进而对功函数金属层起到很好的保护作用
一种半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种LED芯片-CN202023217520.8有效
发明人：蔡琳榕;张晶晶;林大铨;杨力勋;廖生地;林晓芸 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型提供一种LED芯片，所述LED芯片包括基板、外延层、第一电极结构、第二电极结构、反射层、第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层以及第一电极焊盘，其特征在于在反射层上依次形成第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层，且第二扩散阻挡层的反射率小于第一扩散阻挡层的反射率，第一扩散阻挡层的反射率小于反射层的反射率。一方面，在反射层上依次形成两层扩散阻挡层，有效地阻挡了反射层中的Ag向相邻层中迁移；另一方面，第二扩散阻挡层的反射率小于第一扩散阻挡层的反射率，第一扩散阻挡层的反射率小于反射层的反射率，进一步提高了LED
一种 led 芯片

[发明专利]用于高性能射频应用的传输线-CN201280053027.6有效
发明人： S.L.佩蒂-威克斯;G.张;H.B.莫迪 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：一种这样的传输线可以包括配置用于接收RF信号的接合层、阻挡层、扩散阻挡层和紧邻扩散阻挡层的导电层。所述扩散阻挡层可以具有允许所接收的RF信号穿透扩散阻挡层到达导电层的厚度。在某些实施例中，扩散阻挡层可以是镍。在这些实施例的一些中，传输线可以包括金接合层、钯阻挡层和镍扩散阻挡层。
用于性能射频应用传输线

[发明专利]半导体器件的形成方法及半导体器件-CN202210946421.8在审
发明人：杨弘;叶李欣;简良翰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件的形成方法及半导体器件，该形成方法包括：提供衬底，在衬底上形成隔离介质层，在隔离介质层中形成凹槽；在凹槽的槽壁和槽底形成欧姆接触层；在欧姆接触层上形成金属扩散阻挡层，金属扩散阻挡层包括致密阻挡层，致密阻挡层包括交替沉积形成的第一阻挡层和第二阻挡层，第二阻挡层含有用于弱化金属扩散阻挡层的晶界的掺杂元素，掺杂元素在交替沉积过程中掺入第一阻挡层的至少部分内；在凹槽内填充金属层，金属层形成在金属扩散阻挡层上该形成方法能够使金属扩散阻挡层的整体结构更加致密，进而改善了阻挡性能，金属扩散阻挡层能够有效抑制金属向隔离介质层中扩散迁移，从而提高了半导体器件的可靠性。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体结构和半导体结构的制备方法-CN201980096751.9在审
发明人：程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该半导体结构包括缓冲层，所述缓冲层包括扩散元素；形成于所述缓冲层上的扩散阻挡层，所述扩散阻挡层包括吸附性元素；以及形成于所述扩散阻挡层上的沟道层。本实施例中，所述扩散阻挡层设置有吸附扩散元素的吸附性元素，从而有效阻挡扩散元素从缓冲层扩散至沟道层。此外，通过设置扩散阻挡层中吸附性元素的组分变化来避免扩散阻挡层的应力释放。
半导体结构制备方法

[发明专利]一种金属栅极结构及其制造方法-CN201811415934.6有效
发明人：刘晓钰 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属栅极结构，由内向外包括：金属电极层，包围金属电极层的粘结层、第一扩散阻挡层和功函数层，设于第一扩散阻挡层以内的第二扩散阻挡层，第二扩散阻挡层为包括一金属层及设于金属层以内的一金属氧化物层的复合阻挡层结构本发明还公开了一种金属栅极结构的制造方法，包括：通过常规的金属栅极工艺，在衬底沟槽中沉积形成功函数层；在功函数层之上，形成第一扩散阻挡层；在第一扩散阻挡层之上，沉积形成金属层；在金属层表面上形成金属氧化物层，形成第二扩散阻挡层；在第二扩散阻挡层之上，沉积形成粘结层；在粘结层之上，沉积金属电极层材料，形成金属栅极。本发明有效解决了电极金属扩散的问题。
一种金属栅极结构及其制造方法

[发明专利]外延结构-CN202010447738.8有效
发明人：刘嘉哲;施英汝 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种外延结构，包括：基板、缓冲层、背面扩散阻挡层、形成在背面扩散阻挡层上的通道层以及形成在通道层上的阻挡层。缓冲层形成在基板上。背面扩散阻挡层形成在缓冲层上，背面扩散阻挡层的化学组成为AlxInyGa1‑x‑yN，其中0≦x≦1且0≦y≦1，背面扩散阻挡层的晶格常数在#imgabs0#之间。背面扩散阻挡层于厚度方向上由多个区域组成，且背面扩散阻挡层的铝含量与铟含量沿厚度方向为阶梯式变化或阶梯渐变式变化。背面扩散阻挡层还包括碳，且碳浓度沿厚度方向为阶梯式变化或阶梯渐变式变化。
外延结构

[发明专利]金属互连结构、半导体器件及提高扩散阻挡层性能的方法-CN202011430362.6有效
发明人：张丹;罗军;许静;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属互连结构、半导体器件及提高扩散阻挡层性能的方法，该金属互连结构包括互连金属层、钝化层和扩散阻挡层，所述钝化层连接在所述互连金属层和所述扩散阻挡层之间；所述扩散阻挡层为Co基合金层；所述钝化层为利用等离子体(plasma)处理所述扩散阻挡层的表面形成。该金属互连结构通过将扩散阻挡层设置为Co基合金层，可以在减少扩散阻挡层电阻率的同时为互连线保留更多有效体积；而且利用特殊气体对Co基合金层进行等离子体处理，使得其表面形成钝化层，提高阻挡特性。
金属互连结构半导体器件提高扩散阻挡性能方法

[发明专利]薄膜扩散阻挡层-CN201910133345.7在审
发明人： J·C·格伦兰;M·A·普廖洛;P·温斯顿;J·J·麦克休 -专利权人：米其林集团总公司;米其林研究和技术股份有限公司;德克萨斯A&M大学体系
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： B60C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜扩散阻挡层，具体地，一种有涂层的衬底和生产所述有涂层的衬底的方法提供了物质扩散阻挡层。在一个实施方案中，生产在弹性衬底上含涂层的物质扩散阻挡层的方法包括将所述弹性衬底暴露于阳离子溶液以在所述弹性衬底上生成阳离子层。所述阳离子溶液包含聚合物、胶粒、纳米颗粒、盐或其任何组合。所述方法还包括将所述阳离子层暴露于阴离子溶液以在所述阳离子层上生成阴离子层。所述阴离子溶液包含阴离子聚合物、第二胶粒、第二盐或其任何组合。所述涂层包括含所述阳离子层和所述阴离子层的双层。
阳离子层阻挡层弹性衬胶粒阳离子溶液阴离子溶液薄膜扩散物质扩散阴离子层衬底阴离子聚合物纳米颗粒聚合物暴露生产

[发明专利]合金扩散阻挡层-CN201880056085.1有效
发明人： N·戴德文德;S·F·帕沃内;C·D·马纳克 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：回流结构(110)具有含铜构件(114)和焊料构件(118)以及在它们之间的阻挡层(116)。阻挡层(116)具有金属颗粒(120)，和在金属颗粒(120)之间的扩散阻挡填料(122)。扩散阻挡填料(122)至少包含第三金属，该第三金属选自钨和钼。钨和钼在扩散阻挡填料(122)中的组合浓度高于在金属颗粒(120)中的组合浓度，以提供期望的铜扩散阻力。阻挡层(116)包含的钨和钼的组合浓度为2重量％至15重量％。
合金扩散阻挡

[发明专利]薄膜扩散阻挡层-CN201380068245.1在审
发明人： J·C·格伦兰;M·A·普廖洛;P·温斯顿;J·J·麦克休 -专利权人：米其林集团总公司;米其林研究和技术股份有限公司;德克萨斯A&M大学体系
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： B05D5/12 文献下载
摘要：一种有涂层的衬底和生产所述有涂层的衬底的方法提供了物质扩散阻挡层。在一个实施方案中，生产在弹性衬底上含涂层的物质扩散阻挡层的方法包括将所述弹性衬底暴露于阳离子溶液以在所述弹性衬底上生成阳离子层。所述方法还包括将所述阳离子层暴露于阴离子溶液以在所述阳离子层上生成阴离子层。所述阴离子溶液包含阴离子聚合物、第二胶粒、第二盐或其任何组合。所述涂层包括含所述阳离子层和所述阴离子层的双层。
薄膜扩散阻挡

[发明专利]薄膜扩散阻挡层-CN201280068500.8有效
发明人： J·C·格兰朗;M·A·普寥洛;B·R·贝格曼;J·J·麦克休 -专利权人：米其林集团总公司;米其林研究和技术股份有限公司;德克萨斯A&M大学体系
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： B05D3/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种弹性体基材及其制备方法，所述弹性体基材具有材料扩散阻挡层。在一个实施例中，一种用于在弹性体基材上制备材料扩散阻挡层的方法包括将弹性体基材暴露于阳离子溶液，以在弹性体基材上产生阳离子层。所述方法也包括将所述阳离子层暴露于阴离子溶液，以在阳离子层上产生阴离子层。层包括所述阳离子层和所述阴离子层。所述层包括材料扩散阻挡层。
薄膜扩散阻挡

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN201310401313.3有效
发明人：沈哲敏;李广宁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种互连结构及其形成方法，其中互连结构包括：基底，所述基底中形成有通孔；所述通孔内形成有Cu插塞，所述Cu插塞在所述通孔开口边缘形成了凹陷；第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层，所述第一扩散阻挡层覆盖所述凹陷，所述第二扩散阻挡层覆盖所述基底、Cu插塞和第一扩散阻挡层；位于所述第二扩散阻挡层上的互连线。本发明提供的互连结构可以防止Cu插塞中的Cu扩散进入互连线中。
扩散阻挡层互连结构插塞基底互连线凹陷通孔边缘形成通孔开口覆盖

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